Memorias flash silverht

Es fácil encontrar la memoria  flash,  las unidades de USB y accesorios ideales, y aprovechar así al máximo las funciones de su dispositivo móvil. Los dispositivos pueden ser conectados y detectados durante el funcionamiento. Sólo tiene que conectar y jugar y transferir música e imágenes favoritas.

USB Flash Drive Tipo-CMemoria USB-C para tu da a daUn dispositivo para almacenarlo todo. Un diseo ergonmico concebido para el omnipresente puerto USB Tipo-C™. Avalado por la memoria NAND flash de Samsung, esta elegante unidad combina fiabilidad, flexibilidad y rendimiento para usarla en cualquier dispositivo.Rendimiento a toda velocidadNo necesitas elegir entre rendimiento y fiabilidad. Disfruta de una memoria flash rpida y potente capaz de transferir archivos de 4GB en tan solo 11 segundos, con velocidades de lectura de hasta 400MB/s USB 3.1 y que es compatible con USB 3.0/2.0. As es la memoria Flash NAND de Samsung en accin.Lo moderno se funde con lo icnicoEste USB-C tiene una apariencia tan buena como su rendimiento. Su cuerpo ultra estilizado con un acabado en “mystic blue” es toda una declaracin de intenciones. El conector USB-C destaca por ser reversible lo que facilita su conexin en cualquier dispositivo. Transfiere grandes colosales con facilidad y estilo.Conctate a cualquier dispositivoUSB-C est en todas partes, y ahora tambin en tu memoria. Compatible con todos tus dispositivos, incluyendo porttiles, tablets, smartphones y cmaras, esta memoria de bolsillo te ser de ayuda all donde vayas. Con hasta 256GB de capacidad, tendrs espacio ms que suficiente para 63.730 fotos o un mximo de 12 horas de vdeo 4KFiable y ResistenteTus archivos se mantendrn seguros all donde vayas. Confa tu informacin ms valiosa a esta memoria USB-C de Samsung, lder en memorias flash. Cuenta con proteccin al agua, a los imanes, a golpes, a temperaturas extremas y a rayos X. Y, adems, est respaldada por una garanta limitada de 5 aosLa Memoria Flash nmero 1 del mundoExperimenta un rendimiento y la fiabilidad superiores que solo podrs obtener de la marca nmero uno del mundo en memorias flash desde 2003. Todo el firmware y los componentes, incluidas las mundialmente conocidas como DRAM y NAND de Samsung, se fabrican en la propia empresa garantizando una integracin total y una calidad en la que puedes confiar.EspecificacionesCaractersticas generalesTipo de productoUSB Type-C™ Flash DriveFamiliaType-C™AplicacinPC, Notebook, Smartphone, TabletCapacidad512GB (1GB=1,000,000,000 bytes) * La capacidad utilizable real puede ser menor (debido al formateo, sistema operativo, aplicaciones u otros)InterfazUSB 3.2 Gen 1 (compatible USB 3.0/2.0)ConexinUSB Type-CDimensiones33.70 X 15.90 X 6.40mmPesoApprox. 3.4 gRendimientoVelocidadHasta 400 MB/s de velocidad de lectura, la velocidad de escritura es inferior a la velocidad de lectura. * La velocidad real puede variar segn las condiciones de uso y el dispositivo al que se conecta.EntornoTemperaturaResiste 0C to 60C (32F to 140F) en funcionamiento,-10C to 70C (-14F to 158F) en reposoMagnetismo15,000 G (Gauss)Rayos X100mGyAgua1m de profundidad 3% de agua salada con NaCl, 72 horasGolpesAceleracin: 1,500 g (gravedad), Tiempo de duracin: 0.5ms, Direccin: x, y, z 3 vecesCertificacinEMCKC, FCC, CE, VCCI, RCM

USB Flash Drive Tipo-CMemoria USB-C para tu da a daUn dispositivo para almacenarlo todo. Un diseo ergonmico concebido para el omnipresente puerto USB Tipo-C™. Avalado por la memoria NAND flash de Samsung, esta elegante unidad combina fiabilidad, flexibilidad y rendimiento para usarla en cualquier dispositivo.Rendimiento a toda velocidadNo necesitas elegir entre rendimiento y fiabilidad. Disfruta de una memoria flash rpida y potente capaz de transferir archivos de 4GB en tan solo 11 segundos, con velocidades de lectura de hasta 400MB/s USB 3.1 y que es compatible con USB 3.0/2.0. As es la memoria Flash NAND de Samsung en accin.Lo moderno se funde con lo icnicoEste USB-C tiene una apariencia tan buena como su rendimiento. Su cuerpo ultra estilizado con un acabado en “mystic blue” es toda una declaracin de intenciones. El conector USB-C destaca por ser reversible lo que facilita su conexin en cualquier dispositivo. Transfiere grandes colosales con facilidad y estilo.Conctate a cualquier dispositivoUSB-C est en todas partes, y ahora tambin en tu memoria. Compatible con todos tus dispositivos, incluyendo porttiles, tablets, smartphones y cmaras, esta memoria de bolsillo te ser de ayuda all donde vayas. Con hasta 256GB de capacidad, tendrs espacio ms que suficiente para 63.730 fotos o un mximo de 12 horas de vdeo 4KFiable y ResistenteTus archivos se mantendrn seguros all donde vayas. Confa tu informacin ms valiosa a esta memoria USB-C de Samsung, lder en memorias flash. Cuenta con proteccin al agua, a los imanes, a golpes, a temperaturas extremas y a rayos X. Y, adems, est respaldada por una garanta limitada de 5 aosLa Memoria Flash nmero 1 del mundoExperimenta un rendimiento y la fiabilidad superiores que solo podrs obtener de la marca nmero uno del mundo en memorias flash desde 2003. Todo el firmware y los componentes, incluidas las mundialmente conocidas como DRAM y NAND de Samsung, se fabrican en la propia empresa garantizando una integracin total y una calidad en la que puedes confiar.EspecificacionesCaractersticas generalesTipo de productoUSB Type-C™ Flash DriveFamiliaType-C™AplicacinPC, Notebook, Smartphone, TabletCapacidad128GB (1GB=1,000,000,000 bytes) * La capacidad utilizable real puede ser menor (debido al formateo, sistema operativo, aplicaciones u otros)InterfazUSB 3.2 Gen 1 (compatible USB 3.0/2.0)ConexinUSB Type-CDimensiones33.70 X 15.90 X 6.40mmPesoApprox. 3.4 gRendimientoVelocidadHasta 400 MB/s de velocidad de lectura, la velocidad de escritura es inferior a la velocidad de lectura. * La velocidad real puede variar segn las condiciones de uso y el dispositivo al que se conecta.EntornoTemperaturaResiste 0C to 60C (32F to 140F) en funcionamiento,-10C to 70C (-14F to 158F) en reposoMagnetismo15,000 G (Gauss)Rayos X100mGyAgua1m de profundidad 3% de agua salada con NaCl, 72 horasGolpesAceleracin: 1,500 g (gravedad), Tiempo de duracin: 0.5ms, Direccin: x, y, z 3 vecesCertificacinEMCKC, FCC, CE, VCCI, RCM

Memoria USB-C para tu da a daUn dispositivo para almacenarlo todo. Un diseo ergonmico concebido para el omnipresente puerto USB Tipo-C™. Avalado por la memoria NAND flash de Samsung, esta elegante unidad combina fiabilidad, flexibilidad y rendimiento para usarla en cualquier dispositivo.Rendimiento a toda velocidadNo necesitas elegir entre rendimiento y fiabilidad. Disfruta de una memoria flash rpida y potente capaz de transferir archivos de 4GB en tan solo 11 segundos, con velocidades de lectura de hasta 400MB/s USB 3.1 y que es compatible con USB 3.0/2.0. As es la memoria Flash NAND de Samsung en accin.Lo moderno se funde con lo icnicoEste USB-C tiene una apariencia tan buena como su rendimiento. Su cuerpo ultra estilizado con un acabado en “mystic blue” es toda una declaracin de intenciones. El conector USB-C destaca por ser reversible lo que facilita su conexin en cualquier dispositivo. Transfiere grandes colosales con facilidad y estilo.Conctate a cualquier dispositivoUSB-C est en todas partes, y ahora tambin en tu memoria. Compatible con todos tus dispositivos, incluyendo porttiles, tablets, smartphones y cmaras, esta memoria de bolsillo te ser de ayuda all donde vayas. Con hasta 256GB de capacidad, tendrs espacio ms que suficiente para 63.730 fotos o un mximo de 12 horas de vdeo 4KFiable y ResistenteTus archivos se mantendrn seguros all donde vayas. Confa tu informacin ms valiosa a esta memoria USB-C de Samsung, lder en memorias flash. Cuenta con proteccin al agua, a los imanes, a golpes, a temperaturas extremas y a rayos X. Caractersticas generales Tipo de producto USB Type-C™ Flash Drive Familia Type-C™ Aplicacin PC, Notebook, Smartphone, Tablet Capacidad 256GB Interfaz USB 3.2 Gen 1 (compatible USB 3.0/2.0) Conexin USB Type-C Dimensiones 33.70 X 15.90 X 6.40mm Peso Approx. 3.4 g Rendimiento Velocidad Hasta 400 MB/s de velocidad de lectura, la velocidad de escritura es inferior a la velocidad de lectura. * La velocidad real puede variar segn las condiciones de uso y el dispositivo al que se conecta. Entorno Temperatura Resiste 0C to 60C (32F to 140F) en funcionamiento,-10C to 70C (-14F to 158F) en reposo Magnetismo 15,000 G (Gauss) Rayos X 100mGy Agua 1m de profundidad 3% de agua salada con NaCl, 72 horas Golpes Aceleracin: 1,500 g (gravedad), Tiempo de duracin: 0.5ms, Direccin: x, y, z 3 veces

Tipología: Externo; Color primario: Negro; Interfaz: SD; Sim Card: Sí; Smart Card: Sí; Compact Flash I: Sí; Memory Stick: No

Olvídate de tu disco de plato y garantízate una eficiencia 10 veces mejor al transferir tus datos al SSD CX400 gen.2. Aparte de ofrecer una mayor capacidad de respuesta, tus datos también van a estar mucho más seguros. CX400 gen.2 no cuenta con piezas móviles, por lo que es mucho más resistente a choques y golpes que un disco duro.Características: GOODRAM CX400 gen.2se basa en memorias flash ejecutadas en la tecnología 3D TLC. Esto permite garantizar una mayor estabilidad del trabajo del CX400 gen.2 y la resistencia del disco a la escritura ha mejorado en comparación con las memorias tradicionales planas de generaciones anteriores. La calidad de nuestros discos SSD se basa en los 30 años de experiencia que llevamos en el mercado de las memorias de almacenamiento masivo. Nuestro objetivo es crear productos que consigan satisfacer plenamente a los clientes. GOODRAM CX400 gen.2 cuenta con 3 años de garantía concedida por el fabricante y una asistencia técnica gratuita. tecnología 3D TLC NAND flash 3 años de garantía limitado por el parámetro TBW*+ asistencia técnica interfaz SATA III (6 Gb/s)Especificaciones: Marca: Goodram Peso del producto: 50 g Número de productos: 1 Velocidad de lectura: 550 Megabytes por segundo Dimensiones del producto: 6.98 x 10 x 0.7 cm Tecnología de la memoria: DDR3 SDRAM Descripción del disco duro: Solid State Hard Drive Tecnología de conectividad: SATA Número de modelo del producto: SSDPR-CX400-512-G2 Velocidad del reloj de la memoria: 2 Modificador desconocido Capacidad de almacenamiento digital: 512 GB Interfaz: SATA III (6 Gb/s). Retrocompatible con SATA II y I Chips de memoria: 3D TLC NAND flash Tiempo medio entre fallos: 2000000 h Factor de forma de disco SSD: 2.5"

Arquitectura 3D V-NAND. La exclusiva e innovadora arquitectura Samsung 3D V-NAND supone una revolución en el mundo de las memorias flash en términos de densidad, rendimiento y resistencia. Las memorias 3D V-NAND se fabrican apilando verticalmente 32 capas de celdas. Así, se consigue mayor densidad y rendimiento con un menor consumo energético. Sea más productivo gracias a TurboWrite. La tecnología TurboWrite ofrece una óptima experiencia de usuario gracias a su gran rendimiento de lectura/escritura. La unidad SSD 850 EVO de Samsung proporciona una velocidad secuencial de lectura de 540 MB/s y de escritura de 520 MB/s, las más altas dentro de su categoría. Además, mejorará el rendimiento general en todos los QD de su ordenador. Disfrute de una experiencia de usuario un 10% más satisfactoria* que con la anterior SSD 840 EVO, así como un 1.9x más rápida que en los anteriores modelos de 120 / 250 GB**. *PCmark7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO). **Escritura aleatoria (QD32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO). Potencia y rendimiento. El software Magician de esta unidad SSD ofrece el doble de rendimiento* en el procesado de datos al utilizar la memoria DRAM libre del ordenador como memoria caché. El nuevo software de Samsung es capaz de mejorar el uso de memoria máximo en el modo de RAPID, desde 1 GB (lo que ofrecía la versión 840 EVO), hasta los 4 GB que ofrece el modelo 850 EVO, con solo implementar 16 GB de DRAM. Además, disfrutará del doble de potencia* en cualquier QD aleatorio. *PCMARK7 RAW (250 GB): 7.500 > 15.000 (Rapid mode). Resistencia garantizada. Las unidades SSD 850 EVO duplican el TBW* de la anterior generación 840 EVO**. Proporcionan un rendimiento constante mejorado de hasta el 30% a pesar de la degradación, demostrando ser una de las unidades SSD más fiables del mercado***. Cuentan con 5 años de garantía. *TBW: Bytes totales escritos. **TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB), 150 (850 EVO 500 / 1 TB). ***Rendimiento constante (250 GB): 3.300 IOPS (840 EVO) > 6.500 IOPS (850 EVO), Rendimiento medido tras un test de “escritura aleatoria” de 12 horas. Trabaje durante más tiempo. Trabaje en su portátil durante mucho más tiempo. La unidad SSD 850 EVO es un 25% más eficiente que el modelo 840 EVO anterior durante el proceso de escritura* gracias a que la nueva memoria flash 3D V-NAND consume la mitad de energía que la anterior memoria Planar 2D NAND. *Consumo (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO).

SSD CX400 gen.2 SATA III 2,5″ Olvídate de tu disco de plato y garantízate una eficiencia 10 veces mejor al transferir tus datos al SSD CX400 gen.2. Aparte de ofrecer una mayor capacidad de respuesta, tus datos también van a estar mucho más seguros. CX400 gen.2 no cuenta con piezas móviles, por lo que es mucho más resistente a choques y golpes que un disco duro. Nueva generación de memoria flash en tu SSD nuevo GOODRAM CX400 gen.2se basa en memorias flash ejecutadas en la tecnología 3D TLC. Esto permite garantizar una mayor estabilidad del trabajo del CX400 gen.2 y la resistencia del disco a la escritura ha mejorado en comparación con las memorias tradicionales planas de generaciones anteriores.

Olvídate de tu disco de plato y garantízate una eficiencia 10 veces mejor al transferir tus datos al SSD CX400 gen.2. Aparte de ofrecer una mayor capacidad de respuesta, tus datos también van a estar mucho más seguros. CX400 gen.2 no cuenta con piezas móviles, por lo que es mucho más resistente a choques y golpes que un disco duro.Características: GOODRAM CX400 gen.2se basa en memorias flash ejecutadas en la tecnología 3D TLC. Esto permite garantizar una mayor estabilidad del trabajo del CX400 gen.2 y la resistencia del disco a la escritura ha mejorado en comparación con las memorias tradicionales planas de generaciones anteriores. La calidad de nuestros discos SSD se basa en los 30 años de experiencia que llevamos en el mercado de las memorias de almacenamiento masivo. Nuestro objetivo es crear productos que consigan satisfacer plenamente a los clientes. GOODRAM CX400 gen.2 cuenta con 3 años de garantía concedida por el fabricante y una asistencia técnica gratuita. Capacidades disponibles: 128 GB 256 GB 512 GB 1024 GB interfaz SATA III (6 Gb/s) tecnología 3D TLC NAND flashEspecificaciones: Fabricante: GOODRAM Factor de forma: 2.5 inches Velocidad de lectura: 550 Megabytes por segundo Tecnología de conectividad: SATA Número de modelo del producto: 14879166 Capacidad de almacenamiento digital: 1024 GB Velocidad de lectura: 550 MB/s Velocidad de escritura: 500 MB/s Tiempo medio entre fallos: 2000000 h Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C Intervalo de temperatura de almacenaje: 45 - 85 °C

Olvídate de tu disco mecánico y garantízate una eficiencia 10 veces mejor al transferir tus datos al CX400. Aparte de ofrecer una mayor capacidad de respuesta, tus datos también van a estar mucho más seguros. CX400 no cuenta con piezas móviles, por lo que es mucho más resistente a choques y golpes que un disco duro. GOODRAM CX400 se basa en memorias flash ejecutadas en la tecnología 3D. Esto permite garantizar una mayor estabilidad del trabajo del CX400 y la resistencia del disco a la escritura ha mejorado en comparación con las memorias tradicionales planas de generaciones anteriores.

Haz mucho ms, ve a lo grandeEl 870 QVO es lo ltimo de la segunda generacin de Samsung. El SSD QLC es el tipo de SSD de mayor capacidad, ya que proporciona hasta 8 TB de almacenamiento. Este disco, ofrece opciones increbles para los usuarios que quieren aumentar la memoria de su PC o porttil hasta el mximo disponible en el mercado, y sin comprometer el rendimiento.Mejorado en todos los sentidosAl alcanzar el lmite mximo de interfaz SATA de 560/530 MB/s de velocidad secuencial, el 870 QVO presenta una velocidad aleatoria mejorada y un rendimiento sostenido en comparacin con el modelo anterior 860 QVO. El TurboWrite inteligente acelera las velocidades de escritura y mantiene un alto rendimiento a largo plazo con un bfer variable ms grande.Disfruta de la capacidad mximaEl 870 QVO est disponible en 1, 2, 4 y 8TB, y el modelo de 8TB es, con mucho, el SSD SATA de ms capacidad a nivel de usuario. Con el 870 QVO, podrs disfrutar y escalar puestos en el mayor entorno informtico SSD de la historia y con un precio ms accesible.Fiable y sostenibleLa capacidad innovadora del 870 QVO duplica su fiabilidad hasta 2.880 TBW en comparacin con el modelo anterior 860 QVO y est respaldado por una garanta limitada de 3 aos. Este increble SSD proporciona mayor confianza con un preciso algoritmo ECC que permite un rendimiento mucho ms estable.Actualiza con facilidadLa actualizacin al 870 QVO es fcil para cualquier persona con un PC de sobremesa o porttil que admita un factor de forma SATA estndar de 2.5 pulgadas. Empezar a disfrutar de este SSD es tan fcil como conectar el 870 QVO a una ranura SATA y dejar que el software de migracin se encargue del resto.Software Samsung MagicianHaz que tu disco funcione como por arte de magia. El nuevo y mejorado software Samsung Magacian 6.1 mantendr tu SSD bajo control. Puedes administrar fcilmente tu disco con una amplia gama de tiles herramientas, y as mantenerte al da con las ltimas actualizaciones, monitorear el estado del disco, o incluso mejorar su rendimiento.La memoria flash nmero 1 del mundoExperimenta un rendimiento y una confianza superiores que solo podrs obtener de la marca nmero uno del mundo en memorias flash desde 2003. Todos los firmware y componentes, incluidos DRAM y NAND, de renombre mundial de Samsung, se producen internamente, lo que permite un control de principio a fin. Producimos una calidad en la que puedes confiar.Caractersticas generales Aplicacin Client PCs Capacidad 2,000 GB (1 GB=mil millones de bytes segn IDEMA) *La capacidad til real puede ser menor (dependiendo del formateo, particin, sistema operativo, aplicaciones u otros). Formato 2.5 inch Interfaz Interfaz SATA 6 Gb/s, compatible con SATA 3 Gb/s e interfaz SATA 1.5 Gb/s Dimensiones 100 X 69.85 X 6.8 (mm) Peso Aprox. 46.0g Memoria de almacenamiento Samsung V-NAND 4bit MLC Controller Samsung MKX Controller Memoria cach Samsung 2 GB Low Power DDR4 SDRAM Caractersticas especiales Soporte TRIM Compatible con TRIM Soporte S.M.A.R.T S.M.A.R.T Supported GC (Garbage Collection) Algoritmo Auto Garbage Collection Encriptacin AES 256-bit Encryption (Class 0),TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive) WWN Compatible con World Wide Name Soporte Modo Suspensin en dispositivo S Rendimiento Lectura secuencial Hasta 560 MB/s. *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin. Escritura secuencial Hasta 530 MB/s. *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin. **Medido con la tecnologa Intelligent TurboWrite activada. Lectura aleatoria (4KB, QD32) Hasta 98,000 IOPS *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin. **Medido con la tecnologa Intelligent TurboWrite activada. Escritura aleatoria (4KB, QD32) Hasta 88,000 IOPS *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin. **Medido con la tecnologa Intelligent TurboWrite activada. Lectura aleatoria (4KB, QD1) Hasta 11,000 IOPS *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin. **Medido con la tecnologa Intelligent TurboWrite activada. Escritura aleatoria (4KB, QD1) Hasta 35,000 IOPS *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin. **Medido con la tecnologa Intelligent TurboWrite activada. Entorno Consumo energtico medio Media: 3.0 W *Mximo: 5.0 W (Modo de rfaga) *El consumo real puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin. Consumo energtico (Idle) Mx. 30 mW *El consumo real puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin Voltaje soportado 5V 5% Voltaje soportado Durabilidad (MTBF) 1.5 millones de horas de confiabilidad (MTBF) Temperatura 0 - 70 ℃ Temperatura en funcionamiento Golpes 1,500 G & 0.5 ms (Half sine) Accesorios Kit de instalacin No disponible Software SW de gestin Software Magician para la gestin de SSD

Haz mucho ms, ve a lo grandeEl 870 QVO es lo ltimo de la segunda generacin de Samsung. El SSD QLC es el tipo de SSD de mayor capacidad, ya que proporciona hasta 8 TB de almacenamiento. Este disco, ofrece opciones increbles para los usuarios que quieren aumentar la memoria de su PC o porttil hasta el mximo disponible en el mercado, y sin comprometer el rendimiento.Mejorado en todos los sentidosAl alcanzar el lmite mximo de interfaz SATA de 560/530 MB/s de velocidad secuencial, el 870 QVO presenta una velocidad aleatoria mejorada y un rendimiento sostenido en comparacin con el modelo anterior 860 QVO. El TurboWrite inteligente acelera las velocidades de escritura y mantiene un alto rendimiento a largo plazo con un bfer variable ms grande.Disfruta de la capacidad mximaEl 870 QVO est disponible en 1, 2, 4 y 8TB, y el modelo de 8TB es, con mucho, el SSD SATA de ms capacidad a nivel de usuario. Con el 870 QVO, podrs disfrutar y escalar puestos en el mayor entorno informtico SSD de la historia y con un precio ms accesible.Fiable y sostenibleLa capacidad innovadora del 870 QVO duplica su fiabilidad hasta 2.880 TBW en comparacin con el modelo anterior 860 QVO y est respaldado por una garanta limitada de 3 aos. Este increble SSD proporciona mayor confianza con un preciso algoritmo ECC que permite un rendimiento mucho ms estable.Actualiza con facilidadLa actualizacin al 870 QVO es fcil para cualquier persona con un PC de sobremesa o porttil que admita un factor de forma SATA estndar de 2.5 pulgadas. Empezar a disfrutar de este SSD es tan fcil como conectar el 870 QVO a una ranura SATA y dejar que el software de migracin se encargue del resto.Software Samsung MagicianHaz que tu disco funcione como por arte de magia. El nuevo y mejorado software Samsung Magacian 6.1 mantendr tu SSD bajo control. Puedes administrar fcilmente tu disco con una amplia gama de tiles herramientas, y as mantenerte al da con las ltimas actualizaciones, monitorear el estado del disco, o incluso mejorar su rendimiento.La memoria flash nmero 1 del mundoExperimenta un rendimiento y una confianza superiores que solo podrs obtener de la marca nmero uno del mundo en memorias flash desde 2003. Todos los firmware y componentes, incluidos DRAM y NAND, de renombre mundial de Samsung, se producen internamente, lo que permite un control de principio a fin. Producimos una calidad en la que puedes confiar. Caractersticas generales Aplicacin Client PCs Capacidad 4,000 GB (1 GB=mil millones de bytes segn IDEMA) *La capacidad til real puede ser menor (dependiendo del formateo, particin, sistema operativo, aplicaciones u otros). Formato 2.5 inch Interfaz Interfaz SATA 6 Gb/s, compatible con SATA 3 Gb/s e interfaz SATA 1.5 Gb/s Dimensiones 100 X 69.85 X 6.8 (mm) Peso Aprox. 54.0g Memoria de almacenamiento Samsung V-NAND 4bit MLC Controller Samsung MKX Controller Memoria cach Samsung 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Caractersticas especiales Soporte TRIM Compatible con TRIM Soporte S.M.A.R.T S.M.A.R.T Supported GC (Garbage Collection) Algoritmo Auto Garbage Collection Encriptacin AES 256-bit Encryption (Class 0),TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive) WWN Compatible con World Wide Name Soporte Modo Suspensin en dispositivo S Rendimiento Lectura secuencial Hasta 560 MB/s. *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin. Escritura secuencial Hasta 530 MB/s. *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin. **Medido con la tecnologa Intelligent TurboWrite activada. Lectura aleatoria (4KB, QD32) Hasta 98,000 IOPS *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin. **Medido con la tecnologa Intelligent TurboWrite activada. Escritura aleatoria (4KB, QD32) Hasta 88,000 IOPS *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin. **Medido con la tecnologa Intelligent TurboWrite activada. Lectura aleatoria (4KB, QD1) Hasta 11,000 IOPS *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin. **Medido con la tecnologa Intelligent TurboWrite activada. Escritura aleatoria (4KB, QD1) Hasta 35,000 IOPS *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin. **Medido con la tecnologa Intelligent TurboWrite activada. Entorno Consumo energtico medio Media: 3.2 W *Mximo: 5.5 W (Modo de rfaga) *El consumo real puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin. Consumo energtico (Idle) Mx. 35 mW *El consumo real puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin Voltaje soportado 5V 5% Voltaje soportado Durabilidad (MTBF) 1.5 millones de horas de confiabilidad (MTBF) Temperatura 0 - 70 ℃ Temperatura en funcionamiento Golpes 1,500 G & 0.5 ms (Half sine) Accesorios Kit de instalacin No disponible Software SW de gestin Software Magician para la gestin de SSD

Haz mucho ms, ve a lo grandeEl 870 QVO es lo ltimo de la segunda generacin de Samsung. El SSD QLC es el tipo de SSD de mayor capacidad, ya que proporciona hasta 8 TB de almacenamiento. Este disco, ofrece opciones increbles para los usuarios que quieren aumentar la memoria de su PC o porttil hasta el mximo disponible en el mercado, y sin comprometer el rendimiento.Mejorado en todos los sentidosAl alcanzar el lmite mximo de interfaz SATA de 560/530 MB/s de velocidad secuencial, el 870 QVO presenta una velocidad aleatoria mejorada y un rendimiento sostenido en comparacin con el modelo anterior 860 QVO. El TurboWrite inteligente acelera las velocidades de escritura y mantiene un alto rendimiento a largo plazo con un bfer variable ms grande.Fiable y sostenibleLa capacidad innovadora del 870 QVO duplica su fiabilidad hasta 2.880 TBW en comparacin con el modelo anterior 860 QVO y est respaldado por una garanta limitada de 3 aos. Este increble SSD proporciona mayor confianza con un preciso algoritmo ECC que permite un rendimiento mucho ms estable.Actualiza con facilidadLa actualizacin al 870 QVO es fcil para cualquier persona con un PC de sobremesa o porttil que admita un factor de forma SATA estndar de 2.5 pulgadas. Empezar a disfrutar de este SSD es tan fcil como conectar el 870 QVO a una ranura SATA y dejar que el software de migracin se encargue del resto.Software Samsung MagicianHaz que tu disco funcione como por arte de magia. El nuevo y mejorado software Samsung Magacian 6.1 mantendr tu SSD bajo control. Puedes administrar fcilmente tu disco con una amplia gama de tiles herramientas, y as mantenerte al da con las ltimas actualizaciones, monitorear el estado del disco, o incluso mejorar su rendimiento.La memoria flash nmero 1 del mundoExperimenta un rendimiento y una confianza superiores que solo podrs obtener de la marca nmero uno del mundo en memorias flash desde 2003. Todos los firmware y componentes, incluidos DRAM y NAND, de renombre mundial de Samsung, se producen internamente, lo que permite un control de principio a fin. Producimos una calidad en la que puedes confiar.Especificaciones Aplicacin: Client PCs Capacidad: 1,000 GB (1 GB=mil millones de bytes segn IDEMA) *La capacidad til real puede ser menor (dependiendo del formateo, particin, sistema operativo, aplicaciones u otros). Formato: 2.5 inch Interfaz: Interfaz SATA 6 Gb/s, compatible con SATA 3 Gb/s e interfaz SATA 1.5 Gb/s Dimensiones: 100 X 69.85 X 6.8 (mm) Peso: Aprox. 46.0g Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND 4bit MLC Controller: Samsung MKX Controller Memoria cach: Samsung 1 GB Low Power DDR4 SDRAM Caractersticas especiales Soporte TRIM: Compatible con TRIM Soporte S.M.A.R.T: S.M.A.R.T Supported GC (Garbage Collection): Algoritmo Auto Garbage Collection Encriptacin: AES 256-bit Encryption (Class 0),TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive) WWN: Compatible con World Wide Name Soporte Modo Suspensin en dispositivo: S Rendimiento Lectura secuencial: Hasta 560 MB/s. *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin. Escritura secuencial: Hasta 530 MB/s. *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin. **Medido con la tecnologa Intelligent TurboWrite activada. Lectura aleatoria (4KB, QD32): Hasta 98,000 IOPS *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin. **Medido con la tecnologa Intelligent TurboWrite activada. Escritura aleatoria (4KB, QD32): Hasta 88,000 IOPS *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin. **Medido con la tecnologa Intelligent TurboWrite activada. Lectura aleatoria (4KB, QD1): Hasta 11,000 IOPS *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin. **Medido con la tecnologa Intelligent TurboWrite activada. Escritura aleatoria (4KB, QD1): Hasta 35,000 IOPS *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin. **Medido con la tecnologa Intelligent TurboWrite activada. Entorno Consumo energtico medio: Media: 2.2 W *Mximo: 4.0 W (Modo de rfaga) *El consumo real puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin. Consumo energtico (Idle): Mx. 30 mW *El consumo real puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracin Voltaje soportado: 5V 5% Voltaje soportado Durabilidad (MTBF): 1.5 millones de horas de confiabilidad (MTBF) Temperatura: 0 - 70 ℃ Temperatura en funcionamiento Golpes: 1,500 G & 0.5 ms (Half sine) Software SW de gestin: Software Magician para la gestin de SSD

El SSD definitivoAlcanza el mximo rendimiento con PCIe 4.0. Vive la velocidad ms duradera, capaz de derrotar a cualquier enemigo. Su control de temperatura inteligente de serie te ofrece una eficiencia energtica sobresaliente sin comprometer su velocidad pasmosa y su potencia inigualable. Tu juego siempre estar al mximoVelocidad maximizada PCIe 4.0Todo un subidn de velocidad. Aumenta la velocidad aleatoria de escritura/lectura en ms de un 40%' y 55%' respecto de las de 980 PRO - hasta 1400K/1550K IOPS, mientras que la escritura/lectura secuencial aceleran hasta 7450/6900 MB/s para alcanzar prcticamente el mximo rendimiento de PCIe 4.0. Consguelo todo: juegos, ediciones 3D y de vdeos y anlisis de datos de altos vuelos.Derriba los lmites de la eficiencia energticaDescubre un rendimiento que tambin es eficiente. Un mayor rendimiento suele venir acompaado de un mayor consumo energtico, pero 990 PRO utiliza menos energa con una mejora de rendimiento por vatio de ms del 50%' con respecto a 980 PRO. Este diseo de bajo consumo hace que el rendimiento mximo de PCIe 4.0 sea posible, incluso con una eficiencia energtica ptima.Solucin de temperatura inteligenteHay velocidad ms all del calor. Su mando recubierto de nquel y su innovador algoritmo de control trmico gestiona la temperatura para ofrecer un rendimiento sorprendente. La etiqueta difusora de calor controla la temperatura del chip NAND, mientra que su Dynamic Thermal Guard mantiene la temperatura ptima.Hecho para ganarVive la mejor experiencia de juego posible. Su mejora en rendimiento aleatorio de ms de un 55%' permite una carga de datos ms rpida. As, consigues un realismo sin igual en juegos de PC de PS5 y DirectStorage.Software Samsung MagicianDesata toda la potencia de 990 PRO. La sencillez de la variedad de herramientas de optimizacin del software Samsung Magician siempre te ofrece el mejor rendimiento en tu SSD. Protege tus datos, obtn actualizaciones, controla la salud del dispositivo y configura combinaciones de colores LED a tu gusto con tu set de herramientas SSD personal.La memoria flash n1 del mundoUn rendimiento y una fiabilidad superiores solo la obtendrs con la marca n1 en el mundo en memorias flash desde 2003. Todos los componentes y el firmware son producidos por nosotros, incluidos los mundialmente reputados DRAM y NAND, para ofrecerte una calidad integral del principio al final del proceso de produccin en el que puedas confiar.EspecificacionesCaractersticas generalesAplicacinClient PCs, Game ConsolesCapacidad4,000GBFormatoM.2 (2280)InterfazPCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0Dimensiones80 x 22 x 2.3 mmPesoMax 9.0g WeightMemoria de almacenamientoSamsung V-NAND 3-bit MLCControllerSamsung in-house ControllerMemoria cachSamsung 1GB Low Power DDR4 SDRAMCaractersticas especialesSoporte TRIMSupportedSoporte S.M.A.R.TSupportedGC (Garbage Collection)Auto Garbage Collection AlgorithmEncriptacinAES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)WWNNot supportedSoporte Modo Suspensin en dispositivoSRendimientoLectura secuencialUp to 7,450 MB/s * Performance may vary based on system hardware & configurationEscritura secuencialUp to 6,900 MB/s * Performance may vary based on system hardware & configurationLectura aleatoria (4KB, QD32)Up to 1,200,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configurationEscritura aleatoria (4KB, QD32)Up to 1,550,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configurationLectura aleatoria (4KB, QD1)Up to 22,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configurationEscritura aleatoria (4KB, QD1)Up to 80,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configurationEntornoConsumo energtico medio*Average: 5.4 W*Maximum: 7.8 W (Burst mode)* Actual power consumption may vary depending on system hardware & configurationConsumo energtico (Idle)Max. 50 mW * Actual power consumption may vary depending on system hardware & configurationVoltaje soportado3.3 V 5 % Allowable voltageDurabilidad (MTBF)1.5 Million Hours Reliability (MTBF)Temperatura0 - 70 ℃ Operating TemperatureGolpes1,500 G & 0.5 ms (Half sine)SoftwareSW de gestinMagician Software for SSD management

El SSD definitivoAlcanza el mximo rendimiento con PCIe 4.0. Vive la velocidad ms duradera, capaz de derrotar a cualquier enemigo. Su control de temperatura inteligente de serie te ofrece una eficiencia energtica sobresaliente sin comprometer su velocidad pasmosa y su potencia inigualable. Tu juego siempre estar al mximoVelocidad maximizada PCIe 4.0Todo un subidn de velocidad. Aumenta la velocidad aleatoria de escritura/lectura en ms de un 40%' y 55%' respecto de las de 980 PRO - hasta 1400K/1550K IOPS, mientras que la escritura/lectura secuencial aceleran hasta 7450/6900 MB/s para alcanzar prcticamente el mximo rendimiento de PCIe 4.0. Consguelo todo: juegos, ediciones 3D y de vdeos y anlisis de datos de altos vuelos.Derriba los lmites de la eficiencia energticaDescubre un rendimiento que tambin es eficiente. Un mayor rendimiento suele venir acompaado de un mayor consumo energtico, pero 990 PRO utiliza menos energa con una mejora de rendimiento por vatio de ms del 50%' con respecto a 980 PRO. Este diseo de bajo consumo hace que el rendimiento mximo de PCIe 4.0 sea posible, incluso con una eficiencia energtica ptima.Solucin de temperatura inteligenteHay velocidad ms all del calor. Su mando recubierto de nquel y su innovador algoritmo de control trmico gestiona la temperatura para ofrecer un rendimiento sorprendente. La etiqueta difusora de calor controla la temperatura del chip NAND, mientra que su Dynamic Thermal Guard mantiene la temperatura ptima.Hecho para ganarVive la mejor experiencia de juego posible. Su mejora en rendimiento aleatorio de ms de un 55%' permite una carga de datos ms rpida. As, consigues un realismo sin igual en juegos de PC de PS5 y DirectStorage.Software Samsung MagicianDesata toda la potencia de 990 PRO. La sencillez de la variedad de herramientas de optimizacin del software Samsung Magician siempre te ofrece el mejor rendimiento en tu SSD. Protege tus datos, obtn actualizaciones, controla la salud del dispositivo y configura combinaciones de colores LED a tu gusto con tu set de herramientas SSD personal.La memoria flash n1 del mundoUn rendimiento y una fiabilidad superiores solo la obtendrs con la marca n1 en el mundo en memorias flash desde 2003. Todos los componentes y el firmware son producidos por nosotros, incluidos los mundialmente reputados DRAM y NAND, para ofrecerte una calidad integral del principio al final del proceso de produccin en el que puedas confiar. Especificaciones Caractersticas generales Aplicacin Client PCs, Game Consoles Capacidad 2,000GB (1GB=1 Billion byte by IDEMA) * Actual usable capacity may be less (due to formatting, partitioning, operating system, applications or otherwise) Formato M.2 (2280) Interfaz PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 Dimensiones 80 x 22 x 2.3 mm Peso Max 9.0g Weight Memoria de almacenamiento Samsung V-NAND 3-bit MLC Controller Samsung in-house Controller Memoria cach Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM Caractersticas especiales Soporte TRIM Supported Soporte S.M.A.R.T Supported GC (Garbage Collection) Auto Garbage Collection Algorithm Encriptacin AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive) WWN Not supported Soporte Modo Suspensin en dispositivo S Rendimiento Lectura secuencial Up to 7,450 MB/s * Performance may vary based on system hardware & configuration Escritura secuencial Up to 6,900 MB/s * Performance may vary based on system hardware & configuration Lectura aleatoria (4KB, QD32) Up to 1,400,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration Escritura aleatoria (4KB, QD32) Up to 1,550,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration Lectura aleatoria (4KB, QD1) Up to 22,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration Escritura aleatoria (4KB, QD1) Up to 80,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration Entorno Consumo energtico medio *Average: 5.5 W*Maximum: 8.5 W (Burst mode)* Actual power consumption may vary depending on system hardware & configuration Consumo energtico (Idle) Max. 55 mW * Actual power consumption may vary depending on system hardware & configuration Voltaje soportado 3.3 V 5 % Allowable voltage Durabilidad (MTBF) 1.5 Million Hours Reliability (MTBF) Temperatura de funcionamiento 0 - 70 ℃ Operating Temperature Golpes 1,500 G & 0.5 ms (Half sine) Accesorios Kit de instalacin Not Available Software SW de gestin Magician Software for SSD management