Ram kingston 4

Componentes RAM Kingston Memória Ram Kf432s20ib/16 1x16gb Ddr4 3200mhz. O Fury KF432S20IB / 16 é um módulo de memória 2G x 64 bits (16GB) DDR4 3200 CL20 Sdram (DRAM síncrona) 1Rx8, baseado em oito componentes FBGA 2G x 8 bits por módulo. Cada kit de módulo suporta Intel® Extreme Memory Profiles (Intel® XMP) 2.0. Cada módulo foi testado para funcionar em DDR4 3200 em baixa LatênciaTemporização de 20 22 22 a 1,2V. Parâmetros de temporização adicionais são mostrados na seção Parâmetros de temporização Plug N Play (PnP) abaixo. O padrão JEDEC elétrico e mecânicoEspecificações:Fonte de alimentação: VDD = 1,2 V típicaVDDQ = 1,2 V TípicoVPP = 2,5 V TípicoVDDSPD = 2,2 V a 3,6 VNa terminação do molde (ODT)16 bancos internos, 4 grupos de 4 bancos cadaEstroboscópio de dados diferencial bidirecionalPré-busca de 8 bitsInterruptor Burst Length (BL) em tempo real BL8 ou BC4 (Burst Chop)Altura 1,18 (30,00 mm)CL (IDD): 20 ciclosTempo de ciclo de Linha (tRCmin): 45,75ns (min.)Tempo de comando de atualização para ativo / atualização (tRFCmin): 350ns (min.)Tempo de Linha ativa (tRASmin): 26,25ns (min.)Classificação UL: 94 V 0Temperatura operacional: 0o C a + 85o CTemperatura de armazenamento: 55o C a + 100o CParâmetros de temporização de fábrica:Padrão (Plug N Play): DDR4 3200 CL20 22 22 1,2 VPerfil XMP nº 1: DDR4 3200 CL20 22 22 a 1,2 VPerfil XMP 2: DDR4 2933 CL17 19 19 a 1,2 V.

Componentes RAM Kingston Memória Ram Fury Beast 4x32gb Ddr4 3200mhz. Recursos:Design de dissipador de calor de baixo perfilAtualização DDR4 econômica e de alto desempenhoPronto para Intel XMPPronto para AMD RyzenVelocidades de até 3733 MHz e capacidade do kit de até 128 GBFuncionalidade Plug N Play a 2666MHzEspecificações:Componente para: PC/ServidorMemória interna: 128 GBLayout de memória (módulos x tamanho): 4 x 32 GBTipo de memória interna: DDR4Velocidade de clock da memória: 3200 MHzFator de forma de memória: DIMM de 288 pinosLatência CAS: 16.

Memoria RAM Kingston ValueRAM 32GBEste documento describe el KVR32S22D8/32 de ValueRAM, que es un mdulo de memoria SDRAM DDR4-3200 CL22 (DRAM sincrnica) de 4G x 64 bits (32GB), 2Rx8, sin ECC, basado en diecisis componentes FBGA de 2G x 8 bits. El SPD est programado para la latencia estndar JEDEC DDR4-3200 con tiempos de 22-22-22 a 1,2V. Este DIMM de 260 pines utiliza contactos dorados.EspecificacionesVDD = 1,2V TpicoVDDQ = 1,2V TpicoVPP = 2,5V TpicoVDDSPD = 2,2V a 3,6VTerminacin en chip (ODT) nominal y dinmica para seales de datos, strobe y mscaraAuto-refrigeracin de bajo consumo (LPASR)Inversin del bus de datos (DBI) para el bus de datosGeneracin y calibracin de VREFDQ en chipDoble rangoEEPROM de presencia detectada en serie I2 a bordo16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada unoCorte de rfaga (BC) fijo de 4 y longitud de rfaga (BL) de 8 a travs del conjunto de registros de modo (MRS)BC4 o BL8 seleccionables en vuelo (OTF)Topologa de sobrevueloBus de control y direccin con terminacinPCB: Altura 1,18” (30,00mm)Cumple con RoHS y libre de halgenosCL(IDD): 22 ciclos Tiempo de ciclo de fila (tRCmin): 45,75ns (mn.) Tiempo de comando de refresco a activo/refresco (tRFCmin): 350ns (mn.) Tiempo activo de fila (tRASmin): 32ns (mn.) Calificacin UL: 94 V - 0 Temperatura de operacin: 0C a +85C Temperatura de almacenamiento: -55C a +100C

Memoria RAM Kingston FURY Impact 8GBKingston FURY KF432S20IB/8 es un mdulo de memoria SDRAM (DRAM sincrnica) DDR4-3200 CL20 de 1G x 64 bits (8GB), 1Rx8, basado en ocho componentes FBGA de 1G x 8 bits por mdulo. Cada kit de mdulo es compatible con los perfiles de memoria extrema de Intel (Intel XMP) 2.0. Cada mdulo ha sido probado para funcionar a DDR4-3200 con una latencia baja de 20-22-22 a 1,2V. Los parmetros adicionales de temporizacin se muestran en la seccin de Parmetros de Temporizacin Plug-N-Play (PnP) a continuacin.EspecificacionesDefault (Plug N Play): DDR4-3200 CL20-22-22 @1.2VXMP Profile #1: DDR4-3200 CL20-22-22 @1.2VXMP Profile #2: DDR4-2933 CL17-19-19 @1.2VFuente de alimentacin: VDD = 1,2V Tpico VDDQ = 1,2V Tpico VPP = 2,5V Tpico VDDSPD = 2,2V a 3,6V Terminacin en chip (ODT) 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno Estroboscopio diferencial bidireccional de datos 8 bits de prelectura Conmutacin de longitud de rfaga (BL) en vuelo BL8 o BC4 (Corte de rfaga) Altura 1,18” (30,00mm)CL(IDD)20 ciclosTiempo de ciclo de fila (tRCmin)45.75ns (mn.)Tiempo de comando de refresco a activo/refresco (tRFCmin)350ns (mn.)Tiempo activo de fila (tRASmin)26.25ns (mn.)Calificacin UL94 V - 0Temperatura de operacin0 C a +85 CTemperatura de almacenamiento-55 C a +100 C

Si eres un apasionado de la informática y la electrónica, te gusta estar a la última en tecnología y no perderte detalle, compra Memoria RAM Kingston KF430C15BBAK4/32 al mejor precio. Características: Retroiluminado Memoria interna: 32 GB Voltaje: 1,2 V 2,5 V Memoria RAM: 32 GB Compatible: Intel XMP 2.0 PC/Server Conexión: 288-pin DIMM Tipo: DDR4 Conexiones: DIMM Temperatura aprox.: -40º / 85º Rango de temperaturas de trabajo: 0º / 70º Versión: 2.0 Precios válidos para condiciones especiales con Pack Mayorista en BigBuy. Descuentos adicionales para cantidades, contacte y consulte nuestras condiciones.

Se vende por ampliacion, modulo de memoria ram Kingston Ddr3 de 1333. Es un modulo de 2gb, ideal para ampliar un poco el pc. Funciona perfectamente.

Se é um apaixonado pela IT e a eletrónica, gosta de estar em dia com as últimas tendências em termos de tecnologia e não deixa escapar detalhes, compre Memória RAM Kingston KF318C10BK2/16 16 GB DDR3 por grosso.Memória interna: 16 GBConexão: 240 pin DIMMTipo: DDR3Velocidade: 1866 MHzLatência: CL10Formato: 2 x 8 GB.

Memoria RAM Kingston FURY Beast 32GBKingston FURY KF560C36BBE-32 es un mdulo de memoria SDRAM (DRAM sincrnica) DDR5-6000 CL36 de 4G x 64 bits (32GB), 2Rx8, basado en diecisis componentes FBGA de 2G x 8 bits por mdulo. El mdulo es compatible con AMD EXPO v1.0 y los perfiles de memoria extrema de Intel (Intel XMP) 3.0. Cada mdulo ha sido probado para funcionar a DDR5-6000 con una latencia baja de 36-38-38 a 1,35V. Los SPDs estn programados segn la latencia estndar JEDEC DDR5-4800 con tiempos de 40-39-39 a 1,1V. Cada DIMM de 288 pines utiliza contactos dorados.EspecificacionesDefault (JEDEC): DDR5-4800 CL40-39-39 @1.1VEXPO Profile #0: DDR5-6000 CL36-38-38 @1.35VEXPO Profile #1: DDR5-5600 CL36-38-38 @1.25VXMP Profile #1: DDR5-6000 CL36-38-38 @1.35VXMP Profile #2: DDR5-5600 CL36-38-38 @1.25VVDD = 1,1V Tpico VDDQ = 1,1V Tpico VPP = 1,8V Tpico VDDSPD = 1,8V a 2,0V ECC en chip • Altura 1,37” (34,9mm), con disipador de calorCL(IDD)40 ciclosTiempo de ciclo de fila (tRCmin)48ns (mn.)Tiempo de comando de refresco a activo/refresco (tRFCmin)295ns (mn.)Tiempo activo de fila (tRASmin)32ns (mn.)Calificacin UL94 V - 0Temperatura de operacin0 C a +85 CTemperatura de almacenamiento-55 C a +100 C

Memoria RAM Kingston ValueRAM 16GBEste documento describe el KVR56U46BS8-16 de ValueRAM: Capacidad: 2G x 64 bits (16GB) DDR5-5600 CL46 SDRAM (DRAM sincrnica), 1Rx8 Componentes: basado en ocho componentes FBGA de 2G x 8 bits. SPD: programado segn la latencia estndar JEDEC DDR5-5600 con tiempos de 46-45-45 a 1,1V. DIMM: Cada DIMM de 288 pines utiliza contactos dorados.EspecificacionesVDD: 1,1V Tpico VDDQ: 1,1V Tpico VPP: 1,8V Tpico VDDSPD: 1,8V a 2,0V ECC en chip PCB: Altura 1,23” (31,25mm) Cumple con RoHS y libre de halgenosCL(IDD): Ciclos: 46 ciclosTiempo de ciclo de fila (tRCmin): Tiempo: 48ns (mn.)Tiempo de comando de refresco a activo/refresco (tRFCmin): Tiempo: 295ns (mn.)Tiempo activo de fila (tRASmin): Tiempo: 32ns (mn.)Calificacin UL: Calificacin: 94 V - 0Temperatura de operacin: Rango: 0C a +85CTemperatura de almacenamiento: Rango: -55C a +100C

Memoria RAM Kingston ValueRAM 32GBEste documento describe el KVR56S46BD8-32 de ValueRAM: Es un mdulo de memoria SDRAM (DRAM sincrnica) DDR5-5600 CL46 de 4G x 64 bits (32GB), 2Rx8, basado en diecisis componentes FBGA de 2G x 8 bits. El SPD est programado segn la latencia estndar JEDEC DDR5-5600 con tiempos de 46-45-45 a 1,1V. Cada SODIMM de 262 pines utiliza contactos dorados.EspecificacionesVDD: 1,1V TpicoVDDQ: 1,1V TpicoVPP: 1,8V TpicoVDDSPD: 1,8V a 2,0VECC en chipPCB: Altura 1,18” (30,00mm)Cumple con RoHS y libre de halgenosCL(IDD) 46 ciclos Tiempo de ciclo de fila (tRCmin) 48ns (mn.) Tiempo de comando de refresco a activo/refresco (tRFCmin) 295ns (mn.) Tiempo activo de fila (tRASmin) 32ns (mn.) Calificacin UL 94 V - 0Temperatura de operacin  0 C a +85 C Temperatura de almacenamiento -55 C a +100 C

Memoria RAM Kingston FURY Beast 16GBKingston FURY KF560C36BBE2-16 es un mdulo de memoria SDRAM (DRAM sincrnica) DDR5-6000 CL36 de 2G x 64 bits (16GB), 1Rx8, basado en ocho componentes FBGA de 2G x 8 bits por mdulo. El mdulo es compatible con AMD EXPO v1.1 y los perfiles de memoria extrema de Intel (Intel XMP) 3.0. Cada mdulo ha sido probado para funcionar a DDR5-6000 con una latencia baja de 36-44-44 a 1,35V. Los SPDs estn programados segn la latencia estndar JEDEC DDR5-4800 con tiempos de 40-39-39 a 1,1V. Cada DIMM de 288 pines utiliza contactos dorados.EspecificacionesDefault (JEDEC): DDR5-4800 CL40-39-39 @1.1VEXPO Profile #0: DDR5-6000 CL36-44-44 @1.35VEXPO Profile #1: DDR5-5600 CL40-40-40 @1.25VXMP Profile #1: DDR5-6000 CL36-44-44 @1.35VXMP Profile #2: DDR5-5600 CL40-40-40 @1.25VVDD = 1,1V Tpico VDDQ = 1,1V TpicoVPP = 1,8V Tpico VDDSPD = 1,8V a 2,0V ECC en chip Altura 1,37” (34,9mm), con disipador de calorCL(IDD)40 ciclosTiempo de ciclo de fila (tRCmin)48ns (mn.)Tiempo de comando de refresco a activo/refresco (tRFCmin)295ns (mn.)Tiempo activo de fila (tRASmin)32ns (mn.)Calificacin UL94 V - 0Temperatura de operacin0 C a +85 CTemperatura de almacenamiento-55 C a +100 C

Se é um apaixonado pela it e a eletrónica, gosta de estar em dia com as últimas tendências em termos de tecnologia e não deixa escapar detalhes, compre tablet samsung galaxy tab s6 lite qualcomm snapdragon 720g 64 gb 4 gb ram 10,4 por grosso. cor: azulcapacidade: 64 gb4 gbmemória ram: 4 gb ramecrã: 10,4processador: qualcomm snapdragon 720g2.3 ghzqualcomm snapdragonqualcommtipo: tabletcâmara frontalcaneta tátilcaracterísticas: foco automáticobateria incluídaleitor de cartões2 altifalantesbússola eletrónicaconexões: usbusb c 2.0combinação de saída de auscultadores / microfonememória interna: 4 gbconetividade: bluetoothgpswifibluetooth 5.0wifi 5 ghzgalileonopotência: 15wsistema operativo: androidandroid 12tecnologia: ledtftdolby atmoscapacitivenúcleos: 8formato: acelerómetroconexão: wificâmara: 8 mp5 mptraseiraresolução: full hd2000 x 1200 px3264 x 2448wuxga+2 mpx720p,1080ptamanho máximo do cartão de memória: 1 tbautonomia aprox.: 13 h149 hbateria de lítio recarregável: 7040 mahcartões de memória compatíveis: microsd (transflash)factor de forma: slatenão inclui: ligação à rede móvelabertura: f/1,9

Se é um apaixonado pela it e a eletrónica, gosta de estar em dia com as últimas tendências em termos de tecnologia e não deixa escapar detalhes, compre tablet samsung galaxy tab s6 lite 64 gb 4 gb ram 10,4 por grosso. cor: cinzentocapacidade: 64 gb4 gbmemória ram: 4 gb ramecrã: 10,4tipo: tabletcâmara frontalcaneta tátilcaracterísticas: foco automáticobateria incluídaleitor de cartões2 altifalantesbússola eletrónicaconexões: usbusb c 2.0combinação de saída de auscultadores / microfonememória interna: 4 gbconetividade: bluetoothwi-figpsbluetooth 5.0galileonowi-fi 5 ghzpotência: 15 wsistema operativo: androidandroid 12tecnologia: ledtftdolby atmoscapacitiveformato: acelerómetroprocessador: 2.3 ghzqualcomm snapdragonqualcommqualcomm snapdragon 720gcâmara: 8 mp5 mptraseiraresolução: 1920 x 1080 px2000 x 1200 px3264 x 2448wuxga+2 mpx720p,1080ptamanho máximo do cartão de memória: 1 tbautonomia aprox.: 13 h149 hbateria de lítio recarregável: 7040 mahcartões de memória compatíveis: microsd (transflash)factor de forma: slatenão inclui: ligação à rede móvelabertura: f/1,9núcleos: 8 núcleos

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