Samsung ssd evo

Samsung 990 EVO. Capacidad SSD: 1 TB. Factor de forma SSD: M.2. Velocidad de lectura: 5000 MB/s. Velocidad de escritura: 4200 MB/s

Samsung 990 EVO. Capacidad SSD: 2 TB. Factor de forma SSD: M.2. Velocidad de lectura: 5000 MB/s. Velocidad de escritura: 4200 MB/s

Samsung 870 EVO. SDD, capacidad: 1000 GB, Factor de forma de disco SSD: 2.5", Velocidad de lectura: 560 MB/s, Velocidad de escritura: 530 MB/s. Color del producto: Negro

Samsung 870 EVO. SDD, capacidad: 250 GB, Factor de forma de disco SSD: 2.5", Velocidad de lectura: 560 MB/s, Velocidad de escritura: 530 MB/s. Negro.

Samsung 870 EVO. SDD, capacidad: 4000 GB, Factor de forma de disco SSD: 2.5", Velocidad de lectura: 560 MB/s, Velocidad de escritura: 530 MB/s. Negro

Samsung 870 EVO. SDD, capacidad: 500 GB, Factor de forma de disco SSD: 2.5", Velocidad de lectura: 560 MB/s, Velocidad de escritura: 530 MB/s. Negro.

Samsung 870 EVO. SDD, capacidad: 2000 GB, Factor de forma de disco SSD: 2.5", Velocidad de lectura: 560 MB/s, Velocidad de escritura: 530 MB/s. Color del producto: Negro

250gb capacidadcasi 1000h usado puerto M.2 ssd . solo recoger a mano ,Metro linea 7, Av.illustraccion .

Velocidad para ir siempre por delante990 EVO ofrece unas velocidades de lectura y escritura mejoradas de hasta 5.000/4.200 MB/s y velocidades aleatorias de lectura y escritura de hasta 700 K/800 K IOPS, llegando a ser hasta un 43 % más rápido que 970 EVO Plus 2TB. Deja de esperar a que carguen tus juegos y accede a archivos grandes al instante.Eficiencia energética mejoradaEnciéndelo y hazlo todo. Con una notable mejora de la eficiencia energética del 70 % en comparación con el modelo anterior, puedes utilizarlo por más tiempo sin preocuparte por la batería. Además, es compatible con Modern Standby, que?

Marca Samsung Modelo MZ-V7S1T0BW Capacidad - 1TB Interfaz - PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3 Tamaño - M.2 (2280) Rendimiento - Lectura: 3500 MB/s - Escritura: 3300 MB/s Características - Samsung V-NAND 3bit MLC - Compatible con S.M.A.R.T - Resistencia: 600 TBW - Dimensiones: 80.15 x 22.15 x 2.38 mm - Peso: 8 g Fecha de revisión 09-02-2021 por MSB

Marca Samsung Modelo MZ-77E500B/EU Capacidad - 500GB Interfaz - SATA III Tamaño - 2,5" Rendimiento - Lectura: 560 MB/s - Escritura: 530 MB/s Características - Samsung V-NAND 3bit MLC - Compatible con S.M.A.R.T - Resistencia: 300 TBW - Dimensiones: 100 x 69,85 x 6,8 mm - Peso: 45 g Fecha de revisión 09-02-2021 por MSB

Caracteristicas: - Para unas fotos y una grabación de vídeo Full HD de gran calidad - Velocidad de hasta 80MB/s en la lectura y de 20MB/s en la escritura - UHS-I Clase de velocidad 1 (U1), Clase 10 Tarjeta de memoria SD EVO+: Lleva siempre contigo una tarjeta de memoria ultrarrápida. Vídeo Full HD: Captura los momentos que quieras recordar para siempre con la nitidez del primera día. Graba vídeos increíbles en Full HD, con todo el realismo y la calidad que se merecen tus recuerdos, y reprodúcelos en tu televisor o monitor. Resistente al agua: Las tarjetas de memoria Samsung pueden resistir hasta 72 horas sumergidas en agua salada. Resistente a los cambios de temperatura: La tarjeta de memoria SD de Samsung puede soportar temperaturas que oscilan entre los -25 ºC y los 85 ºC. Resistente a rayos X: Estas tarjetas mantienen tus datos a salvo de daños causados por máquinas de rayos X, como por ejemplo las de los aeropuertos. A prueba de imanes: Las tarjetas de memoria de Samsung con capaces de resistir campos magnéticos de hasta 15.000 gauss. A prueba de golpes: Las tarjetas SD de Samsung toleran hasta impactos de 1.500 G. Tu compañero perfecto: Saca el máximo partido a las últimas cámaras réflex y videocámaras, protegiendo tus recuerdos.

Samsung 870 EVO MZ-77E250B - SSD - cifrado - 250 GB - interno - 2.5 - SATA 6Gb/s - búfer: 512 MB - AES de 256 bits - TCG Opal Encryption

Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S250BW - SSD - cifrado - 250 GB - interno - M.2 2280 - PCIe 3.0 x4 (NVMe) - búfer: 512 MB - AES de 256 bits - TCG Opal Encryption

Samsung 870 EVO MZ-77E500B - Unidad en estado sólido - cifrado - 500 GB - interno - 2.5 - SATA 6Gb/s - búfer: 512 MB - AES de 256 bits - TCG Opal Encryption

Samsung 870 EVO MZ-77E1T0B - Unidad en estado sólido - cifrado - 1 TB - interno - 2.5 - SATA 6Gb/s - búfer: 1 GB - AES de 256 bits - TCG Opal Encryption

Samsung 870 EVO MZ-77E2T0B - Unidad en estado sólido - cifrado - 2 TB - interno - 2.5 - SATA 6Gb/s - búfer: 2 GB - AES de 256 bits - TCG Opal Encryption

Samsung 970 EVO Plus MZ-V75S500BW - Unidad en estado sólido - cifrado - 500 GB - interno - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - búfer: 512 MB - AES de 256 bits - TCG Opal Encryption

Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW - Unidad en estado sólido - cifrado - 1 TB - interno - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - búfer: 1 GB - AES de 256 bits - TCG Opal Encryption

Ficha técnica disco duro samsung ssd 850 evo conexion usb: sata capacidad: 120,00 modelo: ssd 850 evo marca: samsung tecnologia almacenamiento: sdd tipo conexion de datos: sata tamaño disco: 2,50 tipo: interno informacion adicional: sin usar Descripción disco duro samsung ssd 850 evo disco duro samsung ssd 850 evo es un objeto de Segunda Mano que se ofrece en estado Buen estado.

Ficha técnica disco duro samsung ssd 850 evo marca: samsung modelo: ssd 850 evo capacidad: 250,00 tipo: interno tipo conexion de datos: sata conexion usb: cable usb 3.0 tecnologia almacenamiento: ssd tamaño disco: 2.5 cable usb 3.0: no cable usb 2.0: no cable micro usb 3.0: no Descripción disco duro samsung ssd 850 evo disco duro samsung ssd 850 evo es un objeto de Segunda Mano que se ofrece en estado Perfecto estado.

2.5'' | 4 TB El disco SSD de 2,5 pulgadas Samsung 850 EVO SATA III, con una capacidad de 4 TB, cuenta con la arquitectura de memoria flash V-NAND 3D única y exclusiva de Samsung, que ha superado las limitaciones de densidad, rendimiento y resistencia de la arquitectura NAND convencional actual. La V-NAND 3D se fabrica con 32 capas de células apiladas verticalmente, en lugar de reducir las dimensiones de las células e intentar encajarlas en un espacio horizontal fijo, lo que da como resultado una mayor densidad y un mejor rendimiento en un espacio más pequeño. Optimice la informática cotidiana con la tecnología TurboWrite para conseguir velocidades de lectura y escritura sin igual y aumente la velocidad con el modo Rapid mejorado. El software Magician de Samsung ofrece el modo rápido para lograr el doble de velocidad de procesamiento de datos a nivel de sistema, utilizando la memoria libre del PC (DRAM) como almacenamiento en caché. Este disco SSD Samsung 850 EVO SATA III de 2,5 pulgadas ofrece una resistencia y fiabilidad garantizadas al duplicar el valor de TBW en comparación con la generación anterior. También hay que destacar la duración significativamente mayor de la batería del portátil gracias al controlador V-NAND optimizado en 3D, que permite una eficiente suspensión del dispositivo de 2 mW. Además, el disco Samsung 850 EVO SATA III SSD ha sido mejorado con el último motor de encriptación. La tecnología de seguridad de encriptación AES de 256 bits protege los datos sin degradar el rendimiento y es compatible con TCG Opal 2.0, y también con la unidad electrónica de Microsoft IEEE1667. La protección de la Guardia Térmica Dinámica monitoriza y mantiene constantemente las temperaturas ideales para un funcionamiento óptimo. Cuando las temperaturas se elevan por encima del límite ideal, Thermal Guard reduce automáticamente las temperaturas, protegiendo los datos y manteniendo la eficacia para garantizar la protección contra el sobrecalentamiento. En tres sencillos pasos, el software One-stop Install Navigator de Samsung le permite migrar fácilmente todos los datos y aplicaciones de su solución de almacenamiento principal. El software del Mago de Samsung le permite optimizar y gestionar el sistema que mejor se adapte a su SSD. Otras características: interfaz SATA de 6 Gb/s, compatible con SATA de 3 Gb/s y SATA de 1,5 Gb/s; Controlador MGX de Samsung; compatibilidad con TRIM y S.M.A.R.T.; Modo de reposo; lectura secuencial de hasta 540 MB/s; escritura secuencial de hasta 520 MB/s; lectura aleatoria de hasta 98.000 IOPS; escritura aleatoria de hasta 90.000 IOPS; fiabilidad de 1,5 millones de horas (MTBF). Worten destaca: Disco SSD de 2,5" con capacidad de 4 TB; arquitectura de memoria flash 3D V-NAND fabricada con 32 capas de celdas apiladas verticalmente; tecnología TurboWrite; modo rápido; software Magician; suspensión de dispositivos de 2 mW; tecnología de seguridad de encriptación AES de 256 bits; Dynamic Thermal Guard; One-stop Install Navigator; interfaz SATA de 6 Gb/s; Controlador Samsung MGX; compatibilidad con TRIM y S.M.A.R.T.; lectura secuencial hasta 540 MB/s; escritura secuencial hasta 520 MB/s.

2.5'' | 2 TB Este disco SSD Samsung 850 Evo de 2 TB de capacidad integra la tecnología V-NAND 3D, que apila 32 capas de células para obtener una densidad y un rendimiento superiores en menos espacio. Cuenta con la tecnología TurboWrite, que garantiza velocidades de lectura secuenciales de hasta 540 MB/s y velocidades de escritura de hasta 520 MB/s, y el modo RAPID, proporcionado por el software Magician, para velocidades aún más rápidas. Con fuerza y fiabilidad garantizadas, garantiza una encriptación avanzada gracias al hardware AES-256-bit que protege sus datos. Dynamic Thermal Guard monitoriza y mantiene la temperatura óptima, mientras que el software One-Stop Install Navigator le permite migrar todos los datos de la SSD o HDD al 850 EVO en tres pasos. Worten destaca: Interfaz SATA III a 6 Gbps; 2 TB de capacidad; tecnología V-NAND 3D; TurboWrite; 540 MB/s (lectura) y 520 MB/s (escritura); modo RAPID; encriptación avanzada; Dynamic Thermal Guard; One-Stop Install Navigator.

SSD Interno 990 EVO PlusVelocidad de lectura secuencial hasta 7,150MB/s. PCIe 4.0x4/PCIe 5.0x2, NVMe M.2.Mejor eficiencia energtica, menor consumo en ordenadores porttiles.Rendimiento mejorado para uso personal, almacenaje de fotos, vdeos y gaming, y para uso profesional.RendimientoHasta 7.250 MB/s de velocidad de lectura secuencial, un 45% ms rpido que el modelo anterior.Eficiencia energticaEficiencia energtica mejorada en un 73% para obtener ms MB/s por vatio, manteniendo el rendimiento y el control trmico.VersatilidadHasta 4 TB de capacidad ampliada y rpido.Velocidad espectacular cada daRealiza tus tareas ms rpido. La 990 EVO Plus con la ltima NAND ofrece velocidades de lectura/escritura secuencial mejoradas de hasta 7.250/6.300 MB/s. Archivos enormes, transferencia instantnea.Potencia para todo el daAprovecha toda la potencia de tu unidad con la funcin Intelligent TurboWrite 2.0 mejorada. Procesa datos masivos con mayor rapidez y agiliza los grficos pesados con una regin TurboWrite ampliada, ahora disponible en 4 TB de capacidad.Ms espacio y velocidadAprovecha toda la potencia de tu unidad con la funcin Intelligent TurboWrite 2.0 mejorada. Procesa datos masivos con mayor rapidez y agiliza los grficos pesados con una regin TurboWrite ampliada, ahora disponible en 4 TB de capacidad.Software Samsung MagicianHaz que tu SSD funcione como por arte de magia. Las herramientas de optimizacin del software Samsung Magician garantizan el mejor rendimiento del SSD. Es una forma fcil y segura de migrar todos tus datos para actualizar tu SSD Samsung. Protege los datos valiosos, controla la salud de la unidad y obtn las ltimas actualizaciones de firmware.Haciendo realidad las innovacionesDurante dcadas, la memoria flash NAND de Samsung ha impulsado tecnologas revolucionarias que han cambiado todos los aspectos de nuestra vida cotidiana. Esta tecnologa flash NAND tambin impulsa nuestras unidades SSD de consumo, dejando espacio para el prximo gran impulso de la innovacin.EspecificacionesUsoClient PCsInterfazPCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0DimensionesMax 80.15 x Max 22.15 x Max 2.38 mmPesoMx 9.0 gramosRendimientoHasta 7.150 MB/s * El rendimiento puede variar en funcin del hardware o la configuracinEscritura secuencialHasta 6.300 MB/s * El rendimiento puede variar en funcin del hardware o la configuracinCapacidad1TBMemoria de almacenamientoSamsung V-NAND TLCControllerSamsung in-house ControllerMemoria cachHMB(Host Memory Buffer)Caractersticas especialesSoporte TRIMSSoporte S.M.A.R.TSGC (Garbage Collection)Auto Garbage Collection AlgorithmEncriptacinAES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)WWNNot supportedSoporte Modo Suspensin en dispositivoSRendimientoLectura secuencialHasta 7.150 MB/s * El rendimiento puede variar en funcin del hardware o la configuracinEscritura secuencialHasta 6.300 MB/s * El rendimiento puede variar en funcin del hardware o la configuracinLectura aleatoria (4KB, QD32)Hasta 850.000 IOPS * El rendimiento puede variar en funcin del hardware o de la configuracinEscritura aleatoria (4KB, QD32)Hasta 1.350.000 IOPS * El rendimiento puede variar en funcin del hardware o de la configuracinEntornoConsumo energtico medio*Promedio: Lectura 4,3 W / Escritura 4,2 W* El consumo real puede variar en funcin del hardware o de la configuracinConsumo energtico (Idle)Tpico 60 mW * El consumo real puede variar en funcin del hardware o de la configuracinPower Consumption (Device Sleep)Tpico 5 mW * El consumo real puede variar en funcin del hardware o de la configuracinVoltaje soportado3.3 V 5 %Durabilidad (MTBF)1.5 Million Hours Reliability (MTBF)Temperatura de funcionamiento0 - 70 ℃Golpes1,500 G & 0.5 metrosAccesoriosKit de instalacinNo DisponibleSoftwareSW de gestinMagician Software for SSD management

SSD Interno 990 EVO PlusVelocidad de lectura secuencial hasta 7,150MB/s. PCIe 4.0x4/PCIe 5.0x2, NVMe M.2.Mejor eficiencia energtica, menor consumo en ordenadores porttiles.Rendimiento mejorado para uso personal, almacenaje de fotos, vdeos y gaming, y para uso profesional.RendimientoHasta 7.250 MB/s de velocidad de lectura secuencial, un 45% ms rpido que el modelo anterior.Eficiencia energticaEficiencia energtica mejorada en un 73% para obtener ms MB/s por vatio, manteniendo el rendimiento y el control trmico.VersatilidadHasta 4 TB de capacidad ampliada y rpido.Velocidad espectacular cada daRealiza tus tareas ms rpido. La 990 EVO Plus con la ltima NAND ofrece velocidades de lectura/escritura secuencial mejoradas de hasta 7.250/6.300 MB/s. Archivos enormes, transferencia instantnea.Potencia para todo el daAprovecha toda la potencia de tu unidad con la funcin Intelligent TurboWrite 2.0 mejorada. Procesa datos masivos con mayor rapidez y agiliza los grficos pesados con una regin TurboWrite ampliada, ahora disponible en 4 TB de capacidad.Ms espacio y velocidadAprovecha toda la potencia de tu unidad con la funcin Intelligent TurboWrite 2.0 mejorada. Procesa datos masivos con mayor rapidez y agiliza los grficos pesados con una regin TurboWrite ampliada, ahora disponible en 4 TB de capacidad.Software Samsung MagicianHaz que tu SSD funcione como por arte de magia. Las herramientas de optimizacin del software Samsung Magician garantizan el mejor rendimiento del SSD. Es una forma fcil y segura de migrar todos tus datos para actualizar tu SSD Samsung. Protege los datos valiosos, controla la salud de la unidad y obtn las ltimas actualizaciones de firmware.Haciendo realidad las innovacionesDurante dcadas, la memoria flash NAND de Samsung ha impulsado tecnologas revolucionarias que han cambiado todos los aspectos de nuestra vida cotidiana. Esta tecnologa flash NAND tambin impulsa nuestras unidades SSD de consumo, dejando espacio para el prximo gran impulso de la innovacin.EspecificacionesUsoClient PCsCapacidad2TBFormatoM.2 (2280)InterfazPCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0DimensionesMax 80.15 x Max 22.15 x Max 2.38 mmPesoMx 9.0 gramosMemoria de almacenamientoSamsung V-NAND TLCControllerSamsung in-house ControllerMemoria cachHMB (Host Memory Buffer)Caractersticas especialesSoporte TRIMSSoporte S.M.A.R.TSGC (Garbage Collection)Auto Garbage Collection AlgorithmEncriptacinAES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)WWNNot supportedSoporte Modo Suspensin en dispositivoSRendimientoLectura secuencialHasta 7.250 MB/s * El rendimiento puede variar en funcin del hardware o la configuracinEscritura secuencialHasta 6.300 MB/s * El rendimiento puede variar en funcin del hardware o la configuracinLectura aleatoria (4KB, QD32)Hasta 1.000.000 IOPS * El rendimiento puede variar en funcin del hardware o de la configuracinEscritura aleatoria (4KB, QD32)Hasta 1.350.000 IOPS * El rendimiento puede variar en funcin del hardware o de la configuracinEntornoConsumo energtico medio*Promedio: Lectura 4,6 W / Escritura 4,2 W* El consumo real puede variar en funcin del hardware o de la configuracinConsumo energtico (Idle)Tpico 60 mW * El consumo real puede variar en funcin del hardware o de la configuracinPower Consumption (Device Sleep)Tpico 5 mW * El consumo real puede variar en funcin del hardware o de la configuracinVoltaje soportado3.3 V 5 %Durabilidad (MTBF)1.5 Million Hours Reliability (MTBF)Temperatura de funcionamiento0 - 70 ℃Golpes1,500 G & 0.5 metrosAccesoriosKit de instalacinNo disponibleSoftwareSW de gestinMagician Software for SSD management

SSD Interno 990 EVO PlusVelocidad de lectura secuencial hasta 7,150MB/s. PCIe 4.0x4/PCIe 5.0x2, NVMe M.2.Mejor eficiencia energtica, menor consumo en ordenadores porttiles.Rendimiento mejorado para uso personal, almacenaje de fotos, vdeos y gaming, y para uso profesional.RendimientoHasta 7.250 MB/s de velocidad de lectura secuencial, un 45% ms rpido que el modelo anterior.Eficiencia energticaEficiencia energtica mejorada en un 73% para obtener ms MB/s por vatio, manteniendo el rendimiento y el control trmico.VersatilidadHasta 4 TB de capacidad ampliada y rpido.Velocidad espectacular cada daRealiza tus tareas ms rpido. La 990 EVO Plus con la ltima NAND ofrece velocidades de lectura/escritura secuencial mejoradas de hasta 7.250/6.300 MB/s. Archivos enormes, transferencia instantnea.Potencia para todo el daAprovecha toda la potencia de tu unidad con la funcin Intelligent TurboWrite 2.0 mejorada. Procesa datos masivos con mayor rapidez y agiliza los grficos pesados con una regin TurboWrite ampliada, ahora disponible en 4 TB de capacidad.Ms espacio y velocidadAprovecha toda la potencia de tu unidad con la funcin Intelligent TurboWrite 2.0 mejorada. Procesa datos masivos con mayor rapidez y agiliza los grficos pesados con una regin TurboWrite ampliada, ahora disponible en 4 TB de capacidad.Software Samsung MagicianHaz que tu SSD funcione como por arte de magia. Las herramientas de optimizacin del software Samsung Magician garantizan el mejor rendimiento del SSD. Es una forma fcil y segura de migrar todos tus datos para actualizar tu SSD Samsung. Protege los datos valiosos, controla la salud de la unidad y obtn las ltimas actualizaciones de firmware.Haciendo realidad las innovacionesDurante dcadas, la memoria flash NAND de Samsung ha impulsado tecnologas revolucionarias que han cambiado todos los aspectos de nuestra vida cotidiana. Esta tecnologa flash NAND tambin impulsa nuestras unidades SSD de consumo, dejando espacio para el prximo gran impulso de la innovacin.EspecificacionesUsoClient PCsCapacidad4TBFormatoM.2 (2280)InterfazPCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0DimensionesMax 80.15 x Max 22.15 x Max 2.38 mmPesoMx 9.0 gramosMemoria de almacenamientoSamsung V-NAND TLCControllerSamsung in-house ControllerMemoria cachHMB (Host Memory Buffer)Caractersticas especialesSoporte TRIMSSoporte S.M.A.R.TSGC (Garbage Collection)Auto Garbage Collection AlgorithmEncriptacinAES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)WWNNot supportedSoporte Modo Suspensin en dispositivoSRendimientoLectura secuencialHasta 7.250 MB/s * El rendimiento puede variar en funcin del hardware o la configuracinEscritura secuencialHasta 6.300 MB/s * El rendimiento puede variar en funcin del hardware o la configuracinLectura aleatoria (4KB, QD32)Hasta 1.050.000 IOPS * El rendimiento puede variar en funcin del hardware o de la configuracinEscritura aleatoria (4KB, QD32)Hasta 1.400.000 IOPS * El rendimiento puede variar en funcin del hardware o de la configuracinEntornoConsumo energtico medio*Promedio: Lectura 5,5 W / Escritura 4,8 W* El consumo real puede variar en funcin del hardware o de la configuracinConsumo energtico (Idle)Tpico 60 mW * El consumo real puede variar en funcin del hardware o de la configuracinPower Consumption (Device Sleep)Tpico 5 mW * El consumo real puede variar en funcin del hardware o de la configuracinVoltaje soportado3.3 V 5 %Durabilidad (MTBF)1.5 Million Hours Reliability (MTBF)Temperatura de funcionamiento0 - 70 ℃Golpes1,500 G & 0.5 metrosAccesoriosKit de instalacinNot AvailableSoftwareSW de gestinMagician Software for SSD management

Un SSD en constante evolucinLo ltimo en rendimiento, mejorado. Ms rpido que el 970 EVO, 970 EVO Plus funciona con la ltima tecnologa V-NAND y optimizacin de firmware. Maximiza el potencial del ancho de banda NVMe™ para una configuracin inmejorable. En capacidades de hasta 2TB, con una fiabilidad de hasta 1200 TBW.Rendimiento a un nuevo nivelEl 970 EVO Plus alcanza velocidades secuenciales de lectura y escritura de hasta 3,500/3.300 MB/s, hasta un 53% ms rpido que el 970 EVO. El ltimo V-NAND brinda un mayor rendimiento NAND y una mayor eficiencia energtica, junto con un firmware optimizado, un controlador Phoenix probado y un TurboWrite boost inteligente.Flexibilidad del diseoUn nuevo avance en NVMe™ SSD. El 970 EVO Plus almacena hasta 2TB en el factor de forma compacto M.2 (2280), ampliando enormemente la capacidad de almacenamiento y ahorrando espacio para otros componentes. La tecnologa innovadora de Samsung te brinda la capacidad de hacer ms y llegar ms lejos.Resistencia excepcionalEl nuevo estndar en rendimiento sostenible. Obtn hasta 1200 TBW con una garanta limitada de 5 aos para un rendimiento duradero. El 970 EVO Plus ofrece una resistencia excepcional gracias a la ltima tecnologa V-NAND y la calidad de Samsung.Fiabilidad incomparableAlcanza un nuevo nivel de confianza. El controlador avanzado recubierto de nquel de Samsung y el difusor trmico integrado en el 970 EVO Plus permiten una disipacin del calor superior. Dynamic Thermal Guard supervisa y mantiene automticamente las temperaturas de funcionamiento ptimas para minimizar las cadas de rendimiento.Samsung MagicianLa gestin avanzada de tu disco, simplificada. El software Samsung Magician te ayudar a mantener todo en orden. Un conjunto de herramientas fciles de usar te ayuda a mantener tu unidad actualizada, monitorear su estado y su velocidad de la unidad, e, incluso mejorar el rendimiento.EspecificacionesAplicacinClient PCsInterfazPCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3Dimensiones80.15 x 22.15 x 2.38 (mm)PesoMx 8.0 gLectura secuencialHasta 3,500 MB/s *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracinEscritura secuencialHasta 3,300 MB/s * El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracinCapacidad1,000GB (1GB=Mil millones de bytes segn IDEMA) * La capacidad real puede ser menor (debido a formateo, particin, sistema operativo, aplicaciones u otros)FormatoM.2 (2280)InterfazPCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3Dimensiones80.15 x 22.15 x 2.38 (mm)PesoMx 8.0 gMemoria de almacenamientoSamsung V-NAND 3-bit MLCControllerSamsung Phoenix ControllerMemoria cachSamsung 1GB Low Power DDR4 SDRAMCaractersticas especialesSoporte TRIMCompatibleSoporte S.M.A.R.TCompatibleGC (Garbage Collection)Auto Garbage Collection AlgorithmEncriptacinAES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)Soporte Modo Suspensin en dispositivoSRendimientoLectura secuencialHasta 3,500 MB/s *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracinEscritura secuencialHasta 3,300 MB/s * El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracinLectura aleatoria (4KB, QD32)Hasta 600,000 IOPS * El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracinEscritura aleatoria (4KB, QD32)Hasta 550,000 IOPS * El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracinLectura aleatoria (4KB, QD1)Hasta 19,000 IOPS *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracinEscritura aleatoria (4KB, QD1)Hasta 60,000 IOPS * El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracinEntornoConsumo energtico medio*Media: 6 W * Mximo: 9 W (Burst mode) * El consumo de energa real puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracinConsumo energtico (Idle)Max. 30 mW * El consumo de energa real puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracinVoltaje soportado3.3 V 5 % Voltaje admisibleDurabilidad (MTBF)Fiabilidad de 1,5 millones de horas (MTBF)Temperatura0 - 70 ℃ Temperatura de funcionamientoGolpes1,500 G & 0.5 ms (Half sine)